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新発売 北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明 洋書

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管理番号 中古 :22513066560 メーカー 90d0cf97d3a3 発売日 2025-06-05 06:06 定価 12000円
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新発売 北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明 洋書

北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明。IGZO-TFTに続く、薄膜トランジスタ技術の革新機軸の提案 低環境。IGZO-TFTに続く、薄膜トランジスタ技術の革新機軸の提案 低環境。Physics and Technology of Crystalline Oxide Semiconductor CAAC-IGZO : Application to Lsi (Wiley-sid Series in Display Technology)2017 John Wiley and Sons酸化物半導体IGZOのLSI応用をまとめた書籍です。大陽日酸、高純度ヒドラジンガス供給システムを開発 | ガスペディア。This book describes the application of c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) technology in large-scale integration (LSI) circuits. The applications include Non-volatile Oxide Semiconductor Random Access Memory (NOSRAM), Dynamic Oxide Semiconductor Random Access Memory (DOSRAM), central processing unit (CPU), field-programmable gate array (FPGA), image sensors, and etc. The book also covers the device physics (e.g., off-state characteristics) of the CAAC-IGZO field effect transistors (FETs) and process technology for a hybrid structure of CAAC-IGZO and Si FETs. It explains an extremely low off-state current technology utilized in the LSI circuits, demonstrating reduced power consumption in LSI prototypes fabricated by the hybrid process.
  • 北大、透明酸化物半導体「ITZO」の高電子移動度の起源を解明
  • IGZO-TFTに続く、薄膜トランジスタ技術の革新機軸の提案 低環境
  • IGZO-TFTに続く、薄膜トランジスタ技術の革新機軸の提案 低環境
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